中心議題：

• ESD解決方案之考慮
• 高速數據線路保護的選擇
• ESD保護二極管的鉗位電壓

解決方案：

• 無源元件在ESD事件期間擁有最高的鉗位電壓
• 矽器件有較低鉗位電壓的

手機
、數碼相機、MP3播放器和個人數字助理(PDA)等手持產品設計人員不斷麵對在更小的外形內提供更多功能的挑戰。集成電路(IC)設計人員通過提高器件的速度和性能同時減小矽器件的尺寸推動了這種趨勢,使shi空kong間jian受shou限xian的de便bian攜xie電dian子zi產chan品pin能neng夠gou使shi用yong支zhi持chi增zeng添tian的de功gong能neng所suo需xu要yao的de高gao速su數shu據ju線xian路lu接jie口kou。但dan其qi代dai價jia如ru何he呢ne
？為wei了le實shi現xian便bian攜xie應ying用yong在zai較jiao小xiao麵mian積ji上shang提ti供gong更geng高gao的de功gong能neng，IC技術使用了更小的幾何尺寸和更低的工作電壓
，使它們對靜電放電(ESD)電壓損壞越來越敏感。這種趨勢對終端產品的可靠性有負麵影響
，會增加現場故障的可能性。同時，便攜設備設計人員得找到一種片外ESD保護解決方案，結合低電容和低ESD鉗位電壓，且所采用的封裝小到足夠適應當今尺寸日益縮小的便攜電子應用。

選擇有效的ESD解決方案之考慮
選擇有效的便攜電子產品高速應用ESD解決方案有三項主要考慮因素，分別是尺寸、電容和ESD鉗位能力。封裝尺寸要求由設計人員確定，但對便攜產品而言一個通用準則是“越小越好”。

對於高速數據線路來說，增加電容可能降低信號完整性。電容可能通過設計元件以及電路板本身來增加數據線路，當設計人員開始增添ESD保護功能時僅有極少空間剩下用來增加額外電容。每項設計各不相同
，並且對ESD保護電容的要求可能也不相同，具體取決於其它設計元件所使用的總電容預算為多少，不過一個通用的準則是電容越低越好。

本文將集中討論便攜應用最常用的高速接口
，即USB2.0(480Mb/s)。在這個數據率
，保護解決方案必須擁有低於1.5pF的電容，這樣才能保持數據線路的完整性。

選擇有效的ESD解決方案的最終考慮因素在於ESD鉗位能力。ESD保護器件的目的在於將數千的ESD輸入電壓降低至IC受到保護的安全電壓
，並將電流與IC分流開來。雖然所需ESD波形的輸入電壓和電流在過去幾年未曾變化，但保護IC需要的安全電壓電平卻降低。過去，IC設計對ESD而言更為強固，能夠處理更高的電壓，因此任意選擇能夠在IEC61000-4-2level4要求下存續的保護二極管就足夠了。

而麵對更新、更加敏感的IC
，設計人員如今不僅需要確保保護器件能在IEC61000-4-2level4標準下存續，還需要確認保護器件將在足夠低的電壓對ESD脈衝進行鉗位
，以此確保IC不被損壞。當為給定應用選擇最佳保護器件，設計人員必須考慮ESD保護器件對入侵ESD如何鉗位。IC敏感度因設計不同而不同
，但關於鉗位電壓的一個通用準則是“越低鉗位電壓越好”。

當選擇ESD保bao護hu元yuan件jian時shi，封feng裝zhuang尺chi寸cun和he電dian容rong能neng夠gou通tong過guo查zha看kan產chan品pin數shu據ju表biao來lai輕qing易yi確que定ding。然ran而er

，鉗qian位wei電dian壓ya要yao定ding義yi起qi來lai則ze有you點dian麻ma煩fan，因yin為wei沒mei有you相xiang關guan標biao準zhun規gui定ding如ru何he在zaiESD事件中測量鉗位電壓。本文接下來將集中討論如何檢測ESD保護二極管的鉗位電壓。

ESD波形
在係統級定義典型ESD事件的最常用波形是IEC61000-4-2波形
，這種波形特別之處在於其亞納秒上升時間和大電流電平。這種波形的規範涉及4個等級的ESD脈衝幅度。大多數設計人員需要使產品合乎最高等級的8kV接觸放電或15kV空氣放電要求。

多數ESD保護元件的數據表會標明符合IEC61000-4-2規範的最大額定電壓
，這顯示元件不會被指定等級的ESD脈衝所損壞。但是，這個額定電壓並不會給出任何有關ESD等高頻、大電流瞬態事件的鉗位電壓信息。與數據表上規定的直流(DC)擊穿電壓相比，這些瞬態事件發生時保護二極管的鉗位電壓在很大程度上更高。但要規定IEC61000-4-2規範的鉗位電壓較難
，因為它被擬定成為一個係統級的通過/不通過規範。為了將這個規範運用到保護元件上，很重要的是不僅要檢查保護元件是通過還是不通過，還要看它怎樣鉗位ESD電壓至低位以及它在保護敏感元件方麵表現如何。

比較保護二極管鉗位電壓的最佳途徑是采用示波器來對發生ESD事件期間通過二極管的實際電壓波形進行屏幕截圖。這可以通過圖1所示的測試設置來實現。[page]

這個測試設置將給出發生ESD事件時通過保護元件的電壓波形，這波形將顯示沿著這條線路的IC在ESD事件期間將遭受的電壓電平。當查看IEC61000-4-2測試中ESD保(bao)護(hu)器(qi)件(jian)的(de)電(dian)壓(ya)波(bo)形(xing)時(shi)，可(ke)以(yi)發(fa)現(xian)通(tong)常(chang)有(you)一(yi)個(ge)初(chu)始(shi)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)以(yi)及(ji)跟(gen)隨(sui)在(zai)後(hou)麵(mian)的(de)第(di)二(er)個(ge)尖(jian)峰(feng)，而(er)最(zui)終(zhong)電(dian)壓(ya)波(bo)形(xing)將(jiang)趨(qu)向(xiang)水(shui)平(ping)。初(chu)始(shi)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)是(shi)由(you)IEC61000-4-2波形中的初始電流尖峰和測試結構導致的過衝所造成。但是，初始尖峰持續時間較短
，這就限製了傳遞至IC的(de)能(neng)量(liang)。保(bao)護(hu)器(qi)件(jian)的(de)鉗(qian)位(wei)性(xing)能(neng)在(zai)初(chu)始(shi)過(guo)衝(chong)之(zhi)後(hou)的(de)曲(qu)線(xian)中(zhong)得(de)到(dao)最(zui)佳(jia)顯(xian)現(xian)。第(di)二(er)個(ge)尖(jian)峰(feng)是(shi)主(zhu)要(yao)問(wen)題(ti)所(suo)在(zai)
，因(yin)為(wei)這(zhe)時(shi)的(de)電(dian)壓(ya)波(bo)形(xing)持(chi)續(xu)較(jiao)長(chang)時(shi)間(jian)
，增(zeng)加(jia)了(le)IC將遭受的總能量。在下麵的研究中鉗位電壓定義為第二個尖峰的最大電壓。

高速數據線路保護的選擇
有兩種主要的ESD保護選擇擁有麵向便攜應用USB2.0高(gao)速(su)保(bao)護(hu)的(de)適(shi)合(he)尺(chi)寸(cun)和(he)電(dian)容(rong)規(gui)範(fan)
，分(fen)別(bie)是(shi)無(wu)源(yuan)和(he)矽(gui)器(qi)件(jian)。在(zai)下(xia)麵(mian)的(de)基(ji)準(zhun)研(yan)究(jiu)中(zhong)我(wo)們(men)將(jiang)查(zha)看(kan)這(zhe)兩(liang)種(zhong)類(lei)型(xing)產(chan)品(pin)在(zai)常(chang)見(jian)示(shi)例(li)下(xia)的(de)關(guan)鍵(jian)規(gui)範(fan)。為(wei)了(le)進(jin)行(xing)公(gong)平(ping)的(de)比(bi)較(jiao)，我(wo)們(men)將(jiang)使(shi)用(yong)的(de)選(xuan)項(xiang)中(zhong)的(de)各(ge)種(zhong)技(ji)術(shu)都(dou)采(cai)用(yong)相(xiang)同(tong)的(de)封(feng)裝(zhuang)尺(chi)寸(cun)。

無源保護器件
技術：基於Tyco/Raychem聚合物的壓敏電阻單線保護
封裝尺寸：1.0×0.5mm(也稱作0402)
數據表上規定的電容：0.25pF
技術：Innochips“ESD抑製器”單線保護
封裝尺寸：1.0×0.5mm(也稱作0402)
電容：0.15pF

矽保護器件
技術：SemtechRailclamp單線保護
封裝尺寸：1.0×0.6mm(也稱作0402)
電容：0.3pF
技術：安森美半導體“集成ESD保護”單線保護
封裝尺寸：1.0×0.6mm(也稱作0402)
電容：0.5pF

分析
所有這些選項都利用了流行的超小型0402尺寸封裝進行檢測，這個尺寸封裝小到足以適合大多數的便攜設計。它們也都擁有遠低於1.5pF要求的電容。對於USB2.0高速版480Mb/s的數據率而言
，任何低於1pF的電容都將能夠保持數據線路的信號完整性，任何的差別都難以察覺。

這些產品的關鍵性能差異點就在於ESD鉗位性能。無源元件在ESD事件期間擁有最高的鉗位電壓，達到67V到超過70V。Semtech矽保護器件的鉗位電壓為正脈衝45V而負脈衝時44V。安森美半導體的矽保護器件在正ESD脈衝時將ESD事件鉗位至15V而在負ESD脈衝時鉗位至10V。

與無源元件相比
，具有較低鉗位電壓的矽器件表現得更好。但是，有意思的是
，同是矽保護器件
，Semtech的Railclam技術和安森美半導體的“集成ESD保護”技術也有著重要差別。用以實現每種類型技術的設計技術能夠確定它們對ESD脈衝鉗位得怎樣。許多用於降低電容的設計技術伴隨著具有較高ESDqianweidianyadezhezhong。weilekefuzhegeshejizhezhongerbuxishengqianweidianyaxingneng，ansenmeibandaotiyunyongtupoxingdegongyijishu，jiangchaodidianrongyinjiaoerjiguanhedagonglvshuntaidianyayizhiqi(TVS)二極管集成到單個裸片上

，能夠用作高性能的片外ESD保護解決方案。這新型集成ESD保護技術平台保持了傳統TVS二極管技術極佳的鉗位和低泄漏性能，同時還將電容降低至0.5pF。這在鉗位性能方麵領先業界
，可確保最敏感集成電路的保護。