隨著數據存儲成本的降低
，對舊數據的整理變得不那麼重要-所suo需xu的de存cun儲chu容rong量liang正zheng以yi前qian所suo未wei有you的de速su度du呈cheng螺luo旋xuan式shi增zeng長chang。因yin此ci，保bao持chi數shu據ju中zhong心xin正zheng常chang運yun行xing所suo需xu的de電dian力li非fei常chang重zhong要yao
，且qie還hai在zai持chi續xu快kuai速su增zeng長chang。估gu計ji目mu前qian數shu據ju中zhong心xin消xiao耗hao3％的美國電力
，預計到2040年將達到15％。

 

nengyuananggui，quebaozugoudedianlikeyongshishujuzhongxinyunyingshangmianlindezhuyaotiaozhan。lingyigeangguideshangpinshikongjianzhanwei，shujuzhongxindezhanweiyezaizengjia，yirongnameinianzengjiayiqianwantaifuwuqi。weilekongzhichengben
，shujuzhongxinyunyingshangzhengmouqiushiyonggengshaodedianli，bingjianshaoqizhanwei。

 

weishixianzhexiemubiao
，dianyuanxitongbixutigaonengxiao，jianshaofeire，jianshaoreguanliwenti
，bingqiegonglvmidukezengjia，congerjianxiaozhengtichicun。yintigaonengxiaoerjiangdiwenduyeyouzhuyutigaokekaoxing
，zhezaishujuzhongxinzhongfeichangyouyong。

 

為了實現這性能和可靠性，電源係統越來越精密
，且集成度更高

，尤其是在功率開關MOSFET及其相關驅動器領域。更多的功能被納入以確保最高水平的正常運行時間

，包括熱插拔設備如風扇和磁盤驅動器的能力。

 

功率密度的下一級水平是智能功率級（SPS）方案，集成MOSFET


、驅動器和檢測電流及溫度的感測器。這方案支持構成部分相互匹配和優化
，從而實現分立方案無法實現的性能水平。

 

 

MOSFET技術已顯著改進，能在非常高效和緊湊的封裝中集成控製IC和MOSFET。例如
，安森美半導體最近推出了NCP3284 1MHz DC-DC轉換器
，具有30A能力
，並提供多種保護功能，占位5mm x 6mm。以更高的頻率工作可減小外部無源器件的尺寸，從而增加整體功率密度。

 

eFuse如NIS5020、NIS5820和NIS6150在(zai)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)應(ying)用(yong)中(zhong)發(fa)揮(hui)重(zhong)要(yao)作(zuo)用(yong)。這(zhe)些(xie)基(ji)於(yu)智(zhi)能(neng)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)器(qi)件(jian)在(zai)電(dian)力(li)係(xi)統(tong)中(zhong)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)，需(xu)要(yao)在(zai)移(yi)除(chu)負(fu)載(zai)時(shi)保(bao)持(chi)電(dian)源(yuan)接(jie)通(tong)。這(zhe)樣(yang)，就(jiu)可(ke)以(yi)先(xian)更(geng)換(huan)出(chu)現(xian)故(gu)障(zhang)的(de)部(bu)件(jian)如(ru)風(feng)扇(shan)或(huo)磁(ci)盤(pan)驅(qu)動(dong)器(qi)等(deng)，並(bing)允(yun)許(xu)進(jin)行(xing)例(li)行(xing)維(wei)護(hu)如(ru)升(sheng)級(ji)磁(ci)盤(pan)驅(qu)動(dong)器(qi)，同(tong)時(shi)保(bao)持(chi)係(xi)統(tong)運(yun)行(xing)。

 

數據中心中電源相關技術最重大的變化也許是用現代寬禁帶材料如氮化镓（GaN）或碳化矽（SiC）替(ti)代(dai)傳(chuan)統(tong)的(de)矽(gui)基(ji)器(qi)件(jian)的(de)趨(qu)勢(shi)。基(ji)於(yu)這(zhe)些(xie)材(cai)料(liao)的(de)器(qi)件(jian)不(bu)僅(jin)能(neng)在(zai)更(geng)高(gao)的(de)頻(pin)率(lv)和(he)更(geng)高(gao)的(de)溫(wen)度(du)下(xia)運(yun)行(xing)

，而(er)且(qie)本(ben)質(zhi)上(shang)能(neng)效(xiao)更(geng)高(gao)，從(cong)而(er)創(chuang)建(jian)了(le)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)所(suo)需(xu)的(de)更(geng)小(xiao)、更冷卻、更可靠的高能效方案。

 

 

盡管SiC 基MOSFET的成本仍高於矽基MOSFET，但成本卻下降了，電感和電容器的相關節省（其值低於矽設計）意味著SiC基電源方案的物料單(BoM)成本現在比矽設計更低。預計這將成為轉折點
，導致更快地采用WBG技術，從而進一步降低成本。

 

 

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