回(hui)到(dao)藏(zang)身(shen)處(chu)後(hou)，筆(bi)記(ji)本(ben)電(dian)腦(nao)最(zui)終(zhong)崩(beng)潰(kui)了(le)
，盡(jin)管(guan)戴(dai)著(zhe)麵(mian)具(ju)的(de)十(shi)字(zi)軍(jun)戰(zhan)士(shi)全(quan)神(shen)貫(guan)注(zhu)在(zai)頂(ding)棚(peng)注(zhu)視(shi)著(zhe)他(ta)，等(deng)待(dai)著(zhe)一(yi)個(ge)機(ji)會(hui)把(ba)它(ta)奪(duo)回(hui)來(lai)。筆(bi)記(ji)本(ben)電(dian)腦(nao)中(zhong)的(de)8TBSSD（固態器件或固態“驅動”–其中沒有移動部件）有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性
，並不惜一切去破壞它
，無意中給他最大的敵人一個機會尾隨他到了受保護的藏身處。為了確保SSD中的內容是真的和被永久的破壞
，Planner碩士打碎了機箱，然後又額外用機電臂在其端口釋放強大的閃電，當它明顯的劈啪作響並片刻變成藍色時咧嘴而笑。

 

他沒有料到的是安森美半導體的固態硬盤和硬盤驅動器（HDD）從個人電腦到數據中心的應用都包含電子保險絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過流條件時通過“熔斷”（開路）保護電器，而且這種方式類似於普通保險絲。不同的是，這些器件可以電子複位到導電狀態。eFuse提供一些額外的功能，其規格不斷提高：我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵、精密的過流保護、熱關斷、三態使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過壓保護。

 

不是所有的eFuse都相同。在當今的電力係統中，能效是關鍵，較低性能的eFuses其實可以對係統的整體性能產生有害的影響。關鍵的參數是eFuse的靜態電阻RDS(ON) ，由內部MOSFET確定。低的RDS(ON)值(zhi)確(que)保(bao)正(zheng)常(chang)運(yun)行(xing)時(shi)的(de)功(gong)率(lv)傳(chuan)輸(shu)是(shi)高(gao)效(xiao)的(de)和(he)極(ji)低(di)功(gong)耗(hao)的(de)。更(geng)高(gao)效(xiao)的(de)運(yun)行(xing)還(hai)支(zhi)持(chi)在(zai)較(jiao)高(gao)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)下(xia)工(gong)作(zuo)，而(er)器(qi)件(jian)升(sheng)溫(wen)相(xiang)對(dui)較(jiao)低(di)，這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)需(xu)要(yao)較(jiao)少(shao)的(de)冷(leng)卻(que)，從(cong)而(er)可(ke)節(jie)省(sheng)空(kong)間(jian)。雖(sui)然(ran)eFuses的工作溫度可達150˚C，但工作溫度越低，使用壽命越長。這一點尤其重要，因為數據中心的硬件被期望能工作10年或更長。

 

安森美半導體最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值僅33mΩ
，比前代的NIS5135低一半。如圖1所示，較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET，由電荷泵升壓。

 

圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。

 

在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從cong懸xuan崖ya扔reng到dao飛fei泉quan洶xiong湧yong的de水shui下xia後hou
，一yi個ge受shou傷shang的de蜘zhi蛛zhu俠xia從cong潮chao濕shi的de山shan洞dong裏li溜liu出chu來lai
，蹲dun在zai邊bian上shang盯ding著zhe它ta，然ran後hou在zai一yi個ge不bu可ke能neng的de角jiao度du溜liu下xia岩yan壁bi。差cha不bu多duo六liu個ge小xiao時shi後hou，他ta取qu回hui了le電dian子zi產chan品pin，並bing送song到dao數shu據ju醫yi學xue實shi驗yan室shi進jin行xing分fen析xi。果guo然ran，eFuse保護了SSDmianshouyouhaidianjidesunhuai，zhezhishigeshijianwenti，ranhoushancunxinpianbeicongshebeizhongquchu
，bingbeianzhuangdaoyigexindejixiangzhong
，tigonghuoqufengfudeshuju，baokuoyonglaiyimaerenmingzi
、他們的位置和他們對全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數據。

 

如果要求eFuse的額定電流超過5A
，可以簡單地將使能引腳、輸入和輸出並聯在一起。由於RDS(ON)的正溫度係數，均流均為自動分配。圖2和圖3的評估板演示了這。

 

圖2. 評估板展示4個NIS5452的並行配置。

 

圖3. 4個NIS5452器件並行，總電流20A，最高殼溫56攝氏度。

 

內部高能效的SenseFET架構支持限流以保護免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節省檢測電阻的功耗和便於通過外部電阻RLIMIT編程。可調的轉換速率特性控製浪湧電流，同時為高容性負載提供電源。

 

可以在具有一些元器件的NIS5452MT1GEVB 標準評估板上測試最新的NIS5452 和NIS5431 
，yijianhuaceshi。qingdianjizhelihuoqugengduoxinxihuolianxinindangdidexiaoshoudaibiaoyishenqingpinggubanheyangpin，heninzaidajifanzuidenulizhongsuoxuyaoderenheqitabangzhu！

 

 

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