支持千倍以上負載電容的靈敏測試
發布時間:2020-02-14 責任編輯:wenwei
【導讀】使用長電纜或(huo)電(dian)容(rong)夾(jia)頭(tou)的(de)測(ce)試(shi)設(she)置(zhi)會(hui)增(zeng)加(jia)測(ce)試(shi)儀(yi)器(qi)輸(shu)出(chu)的(de)電(dian)容(rong),導(dao)致(zhi)測(ce)量(liang)結(jie)果(guo)不(bu)準(zhun)確(que)或(huo)不(bu)穩(wen)定(ding)。當(dang)輸(shu)出(chu)或(huo)掃(sao)描(miao)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)並(bing)測(ce)量(liang)異(yi)常(chang)靈(ling)敏(min)的(de)低(di)電(dian)流(liu)時(shi),能(neng)觀(guan)察(cha)到(dao)這(zhe)種(zhong)效(xiao)應(ying)。為(wei)了(le)應(ying)對(dui)這(zhe)些(xie)挑(tiao)戰(zhan),泰(tai)克(ke)為(wei)吉(ji)時(shi)利(li)4200A-SCS參數分析儀引入了兩個新的源測量單元(SMU)模塊,即使在測試連接電容較高的應用中,該模塊也可以進行穩定的低電流測量。
節能的要求越來越高,這就需要越來越低的電流,這是一個日益嚴峻的測量挑戰,如測試智能手機或平板電腦的大型LCD麵板。高電容測試連接可能會出現問題的應用,還包括:探卡上的納米FET I-V測量,使用長電纜的MOSFET的傳輸特性,開關矩陣的FET測試以及電容泄漏測量。
支持1000倍以上的電容
與其他靈敏SMU相比,新的吉時利4201中功率SMU和4211高功率SMU(帶有可選的4200-PA前置放大器)提升了最大負載電容。在最低支持電流範圍內,4201-SMU和4211-SMU可以提供和測量的係統電容是目前SMU容量的1000倍。例如,如果電流在1至100 pA之間,則新的吉時利模塊可以處理高達1 µF(微法拉)的負載。相比之下,在不降低測量精度的情況下,同類產品的最大負載電容在該電流水平上的承受能力僅為1,000 pF。
對dui於yu麵mian臨lin這zhe些xie問wen題ti的de客ke戶hu,新xin模mo塊kuai是shi很hen寶bao貴gui的de補bu充chong,不bu僅jin節jie省sheng排pai除chu故gu障zhang的de時shi間jian,還hai可ke以yi節jie省sheng開kai支zhi。當dang測ce試shi工gong程cheng師shi或huo研yan究jiu人ren員yuan發fa現xian測ce量liang錯cuo誤wu時shi,他ta們men首shou先xian需xu要yao追zhui蹤zong其qi來lai源yuan。這zhe本ben身shen可ke能neng需xu要yao花hua費fei大da量liang時shi間jian,並bing且qie他ta們men還hai需xu要yao先xian探tan索suo許xu多duo可ke能neng的de原yuan因yin,然ran後hou才cai能neng縮suo小xiao範fan圍wei。一yi旦dan發fa現xian原yuan因yin是shi係xi統tong電dian容rong,就jiu必bi須xu調tiao整zheng測ce試shi參can數shu,電dian纜lan長chang度du,甚shen至zhi重zhong新xin安an排pai測ce試shi設she置zhi。這zhe不bu是shi理li想xiang選xuan擇ze。
實際中,新的SMU模塊是如何工作的呢?讓我們來看一下平板顯示器測試過程中和納米FET研究中的幾個關鍵應用。
示例1:平板顯示器上的OLED像素驅動器電路
OLED像素驅動器電路印刷在平板顯示器上的OLED器件旁邊。通常,它們的直流特性是通過將SMU開關矩陣連接起來,然後使用12-16m長的三軸電纜連接到LCD探針台上來測量的。由於需要連接很長的電纜。因此,測試中經常出現不穩定的低電流。這種不穩定性在OLED驅動電路的飽和曲線(橙色曲線)和線性曲線(藍色曲線)中很明顯,當使用傳統SMU連接DUT進行測量時,結果如下圖所示。

使用傳統SMU測量的OLED的飽和度和線性I-V曲線。
但是,當在DUT的漏極端子上使用4211-SMU重複進行這些I-V測量時,I-V曲線將保持穩定,如下所示。問題解決了。

使用新型4211-SMU測量的OLED的飽和度和線性I-V曲線。
示例2:具有公共柵極和探卡電容的納米FET
納米FET和2D FET測試時器件的一個端子通過探針台的卡盤與SMU連(lian)接(jie)。卡(ka)盤(pan)的(de)電(dian)容(rong)可(ke)能(neng)高(gao)達(da)幾(ji)個(ge)納(na)米(mi)級(ji),在(zai)某(mou)些(xie)情(qing)況(kuang)下(xia),有(you)必(bi)要(yao)使(shi)用(yong)卡(ka)盤(pan)頂(ding)部(bu)的(de)導(dao)電(dian)墊(dian)與(yu)柵(zha)極(ji)接(jie)觸(chu)。同(tong)時(shi),同(tong)軸(zhou)電(dian)纜(lan)也(ye)會(hui)增(zeng)加(jia)額(e)外(wai)的(de)電(dian)容(rong)。
為了評估新的SMU模塊,將兩個傳統的SMU連接到2D FET的柵極和漏極,從而產生下麵的嘈雜的Id-Vg磁滯曲線。

使用傳統SMU測量的2D FET的噪聲Id-Vg磁滯曲線。
但是,當兩個4211-SMU連接到同一設備的柵極和漏極時,產生的磁滯曲線平滑且穩定,如下所示,這解決了研究人員可能需要克服的主要障礙。

用兩個4211-SMU測量的平滑且穩定的Id-Vg磁滯曲線。
訂購4201-SMU和4211-SMU並預先配置4200A-SCS,yipeizhiquancanshufenxijiejuefanganhuoduixianyoushebeijinxingxianchangshengji。wuxujiangshebeifasongdaofuwuzhongxinjikeqingsongdizaixianchangwanchengshengji,congerkeyijieshengshuzhoudetingjishijian。
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