在實際應用，一般將普通的具有雙向阻斷能力、隻能控製正向導通的半控型晶閘管，直接稱為晶閘管
，或者SCR（矽控整流器），而其他類型晶閘管根據它們的功能和特性命名。

 

jingzhaguanzaitongtaishikeyichengshoufeichangdadelangyongdianliu，erzaizutainengchengshoufeichanggaodedianya，zheliangdiandejixianzhizaimuqiandesuoyouqijianzhongdoushizuigaode
，ruguomeiyouwufaziguanduanzhegeyanzhongdequexian
，namejingzhaguanjiushiwanmeidedianlibandaotiqijian。zhegenjingzhaguandejiegouyoumiqieguanxi。

 

晶閘管也是一個三端器件，按照現有的應用習慣，其三個端子定義為陽極（A，anode）
、陰極（K
，cathode）和門極（G，gate）。晶閘管的符號以及對應三個端子的定義如圖1所示。

 

 

實際上一個典型的晶閘管的結構如圖2所示
，一般從陽極到陰極的雜質半導體的性質為PNPN
，因此存在3個PN結，從陽極到陰極依次為J1
、J2和J3。此時，這3個結不再像晶體管那樣有具體的名稱。這3個PN結可以通過合金—擴散法或全擴散法形成，陽極、陰極和門極電極分別通過金屬連接與對應的半導體層相連接。

 

 

為了分析方便，這裏把如圖2所示的晶體管簡化成如圖3所(suo)示(shi)的(de)簡(jian)化(hua)結(jie)構(gou)圖(tu)，並(bing)認(ren)為(wei)各(ge)雜(za)質(zhi)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)摻(chan)雜(za)濃(nong)度(du)是(shi)均(jun)勻(yun)的(de)，按(an)照(zhao)晶(jing)閘(zha)管(guan)在(zai)實(shi)際(ji)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)使(shi)用(yong)情(qing)況(kuang)，圖(tu)中(zhong)還(hai)給(gei)出(chu)了(le)用(yong)於(yu)晶(jing)閘(zha)管(guan)運(yun)行(xing)原(yuan)理(li)分(fen)析(xi)的(de)外(wai)圍(wei)電(dian)路(lu)
，則(ze)流(liu)入(ru)晶(jing)閘(zha)管(guan)陽(yang)極(ji)的(de)電(dian)流(liu)為(wei)IA，流出晶閘管陰極的電流為IK，流入晶閘管門極的電流為IG，晶閘管陽極到陰極之間的電壓為UAK。

 

 

晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層，與門極相連的重摻雜P+層，此三層的厚度（在圖中體現為寬度）都較小，剩下的一層為相對輕摻雜的層N-層，其厚度較大，而厚度較大的輕摻雜對器件的耐壓和通態特性都有顯著的影響。
 

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